GaN基p-i-n型雪崩探测器的制备与表征(英文)

作者：李广如; 秦志新; 桑立雯; 沈波; 张国义

来源：发光学报, 2011, 32(03): 262-265.

• 紫外探测器
• 雪崩
• 碰撞电离

制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器。器件在-5 V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA。响应增益-偏压曲线显示,可重复的雪崩增益起始于80 V附近,在85 V左右增益达到最大为120,表明所制备的器件具有较好的质量。C-V测量用来确定载流子的分布和耗尽信息,结果显示,p型层在15 V左右达到耗尽,对应的空穴载流子浓度在1.9×1017 cm-1左右,相对低的载流子浓度降低了电场限制,使探测器的工作电压相对偏高。在不同偏压下测量的光谱响应曲线显示出明显的Franz-Keldysh效应。

• 单位
  人工微结构和介观物理国家重点实验室