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摘要
近年来得益于薄膜铌酸锂晶圆离子切片技术和低损耗微纳刻蚀工艺的飞速发展，薄膜铌酸锂光集成结构提供了光场紧束缚、快速电光调谐、高效频率转换和声光转换的空前能力，各种高性能的薄膜铌酸锂光集成器件不断涌现，且朝着大规模光集成芯片的方向迅猛发展，为高速信息处理、精密测量、量子信息、人工智能等重要应用提供了全新的发展动力。本文主要围绕铌酸锂晶体发展历史、薄膜铌酸锂离子切片技术发展历程、极低损耗微纳刻蚀技术演化进程，以及高性能的薄膜铌酸锂光集成器件进展进行总结，并展望了未来的发展趋势。
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单位中国科学院上海光学精密机械研究所; 华东师范大学; 之江实验室; 精密光谱科学与技术国家重点实验室; 强场激光物理国家重点实验室
