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摘要
本发明提供一种新型P#GaN栅结构的增强型器件及其制作方法。所述器件包括衬底,还包括在衬底一侧依次设置的成核层、缓冲层、势垒层、P#GaN层、栅金属层；所述P#GaN层在所述势垒层上的投影小于所述势垒层靠近所述P#GaN层一侧的界面,所述P#GaN层中部设置有凹槽；所述栅金属层靠近所述P#GaN层的一侧具有与所述凹槽相适应的凸起,所述凸起插入所述凹槽。所述方法包括：将基底材料的P#GaN原始层刻蚀为设定大小的P#GaN层；所述基底材料包括衬底,以及在所述衬底一侧依次设置的成核层、缓冲层、势垒层、P#GaN原始层；在所述P#GaN层上刻蚀凹槽；在所述P#GaN层上制作栅金属层,所述栅金属层的材料填充所述凹槽；所述方法还包括：在势垒上制作源极和漏极。本发明能够增强器件的栅控能力。
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