聚焦离子束刻蚀铌酸锂的研究

作者：瞿敏妮; 李辉; 乌李瑛; 沈贇靓; 田苗; 王英^*; 程秀兰

来源：微纳电子技术, 2020, 57(03): 230-236.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.03.010

• 铌酸锂
• 聚焦离子束(FIB)
• 离子剂量
• 表面粗糙度
• 喇曼光谱

铌酸锂物理性能稳定,电光、声光及非线性光学效应优异,是集成光学器件中重要的光学材料。然而,目前铌酸锂材料的加工工艺无法满足复杂且小型化的集成光路发展需求。聚焦离子束(FIB)是一种无掩膜、高精度的加工技术,但同时会引入离子注入和材料表面非晶化等损伤。研究了FIB离子剂量对铌酸锂刻蚀深度及表面粗糙度的影响,在离子剂量大于0.25 nC·μm-2条件下实现了亚纳米表面粗糙度的刻蚀。通过采用共聚焦喇曼光谱法表征FIB刻蚀前后铌酸锂喇曼光谱的变化,证明了在离子剂量为0.1～1.0 nC·μm-2下FIB刻蚀对铌酸锂薄膜造成的整体损伤小(喇曼峰展宽的平均变化小于5%),对使用FIB进行精密、可控的铌酸锂结构加工具有重要参考意义。

• 单位
  上海交通大学