MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP 650nm激光器

作者：夏伟; 王翎; 李树强; 张新; 马德营; 任忠祥; 徐现刚

来源：人工晶体学报, 2006, (06): 1247-1250.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2006.06.019

• MOCVD
• 低阈值电流
• 650nm激光器 MOCVD
• low threshold current
• 650nm laser diodes

通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器。该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm A lGaInP红光激光器的最低阈值电流。在25mA工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW。

• 单位
  山东大学; 晶体材料国家重点实验室; 山东华光光电子有限公司