提高MOS功率晶体管封装可靠性技术研究

作者：***; 郑学仁; 张顺; 张国俊; 郑春扬; 吴朝晖

来源：电子产品可靠性与环境试验, 2009, 27(06): 1-4.

DOI：10.3969/j.issn.1672-5468.2009.06.001

• 金属-氧化物-半导体器件
• 功率晶体管
• 封装
• 导通电阻
• 器件可靠性

功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性。从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电阻、控制空洞、提高器件可靠性的封装技术,并通过一些实例来阐述工艺控制的效果。

• 单位
  华南理工大学