Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3压电陶瓷的介电、铁电和压电性能

作者:薛龙; 乔显集; 乔慧敏; 李修芝; 龙西法; 何超*
来源:人工晶体学报, 2019, 48(10): 1854-1858.
DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.10.011

摘要

采用两步法制备了0. 30Pb(In1/2Nb1/2)O3-(0. 70-x) Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PIN-PNN-PT,x=0. 33,0. 35,0. 37,0. 39)压电陶瓷。研究了PIN-PNN-PT压电陶瓷的相结构、介电、铁电和压电性能。研究表明位于准同型相界(MPB)的组分0. 30PIN-0. 33PNN-0. 37PT具有最佳电学性能,其居里温度TC、压电系数d33、平面机电耦合系数kp、自由介电常数ε’、介电损耗tanδ、剩余极化Pr、矫顽场EC分别为200℃、386 p C/N、50%、2692、0. 045、34μC/cm2、18 kV/cm。结果显示PIN-PNN-PT三元系相比于PNN-PT有更高的居里温度,同时保持了优异的压电性能。