使用3C/4H-SiC异质外延薄膜制备石墨烯

作者：王翼^*; 周平; 赵志飞; 李赟

来源：固体电子学研究与进展, 2022, 42(04): 329-334.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2022.04.002

• 3C-SiC
• 4H-SiC
• 石墨烯
• C/Si比
• 热分解

采用在4H-SiC衬底上生长的3C-SiC薄膜进行了石墨烯的制备。首先在不同的C/Si比条件下进行3C-SiC薄膜的生长，然后通过对这些3C-SiC薄膜进行热分解来制备石墨烯。对C/Si比为2.21时生长的3C-SiC进行热分解，成功得到了石墨烯，其拉曼光谱2D峰的半高宽为60 cm-1，迁移率为1 480 cm2V-1s-1，晶畴尺寸为1μm×1μm左右。由热分解前后样品拉曼光谱的变化可知，石墨烯是由3C-SiC薄膜热分解得到的，与4H-SiC衬底无关，因此通过控制3C-SiC外延层的厚度即可实现对石墨烯厚度的控制。