ICP-OES检测C5轻烃中硅质量分数的研究

作者：徐大智; 陈冬梅; 杨帆; 吉豪杰

来源：当代化工, 2021, 50(12): 3005-3008.

DOI：10.13840/j.cnki.cn21-1457/tq.2021.12.053

• ICP-OES
• C5轻烃
• 硅质量分数检测

为了满足生产需求,利用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-OES)建立了检测C5轻质烃中硅质量分数的分析方法。通过对样品处理、氧气流量、雾化室温度、RF功率等一系列试验条件摸索,找出了适合C5轻烃中硅质量分数检测的参数设置:RF功率1 250 W,观测方式采用水平或垂直观测,雾化室温度不高于-20℃,推荐选择硅检测波长212.4 nm和288.1 nm,载气流速0.25 L·min-1,氧气流速0.016～0.020 L·min-1。并利用该条件,对馏分范围在C5附近的轻烃进行适应性试验,发现优化后的条件同样适用。

• 单位
  中国石油天然气股份有限公司