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摘要
本发明公开了一种MOS器件偏压温度不稳定性退化的测试装置,包括：待测电路、参考校准电路和检测电路；待测电路和参考校准电路的输出同时连接至检测电路；待测电路的内部设置第一反馈控制组件和第一斯密特触发器,第一反馈控制组件对第一斯密特触发器内待测的反馈回路元器件施加应力使其发生退化,待测电路输出退化后的实际迟滞电压信号；参考校准电路输出标准迟滞电压信号；检测电路通过比较测量实际迟滞电压信号与参考标准迟滞电压信号之间的差异来测试反馈回路元器件的退化程度。本发明可同时实现NBTI及PBTI特性的测试,具有电路结构简单、测试精度高的特点。本发明公开了一种MOS器件偏压温度不稳定性退化的测试方法。
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单位上海集成电路研发中心有限公司; 华东师范大学
