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摘要
从封装结构、封装材料、设备工艺等方面着手,挖掘导致导通电阻偏高、热阻不稳定的影响因素,最终找到稳定热阻值的途径,提升产品良率及可靠性。提出采用铝基材散热片替代铜散热片,基板与散热片设计一定间隙实现绝缘,增强大功率MOSFET产品散热能力,完成改进型封装结构(TO220CB),有效地降低产品的功耗、提高散热效果,从而解决MOSFET产品散热与绝缘问题,提高产品封装良率。
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从封装结构、封装材料、设备工艺等方面着手,挖掘导致导通电阻偏高、热阻不稳定的影响因素,最终找到稳定热阻值的途径,提升产品良率及可靠性。提出采用铝基材散热片替代铜散热片,基板与散热片设计一定间隙实现绝缘,增强大功率MOSFET产品散热能力,完成改进型封装结构(TO220CB),有效地降低产品的功耗、提高散热效果,从而解决MOSFET产品散热与绝缘问题,提高产品封装良率。
