功率DMOS器件加固技术的工艺设计

作者：郑莹; 王浩

来源：电子技术与软件工程, 2021, (05): 105-106.

• DMOS器件
• 半导体仿真软件
• 电压
• 工艺设计

本文采用带有厚氧的新器件结构,并辅以后栅氧工艺,可以大大提高器件的抗辐射能力,在此基础上,利用半导体仿真软件对DMOS器件进行工艺设计和仿真,得到最终的整个工艺流程。

• 单位
  沈阳理工大学