A向蓝宝石晶片化学机械抛光研究

作者：陈国美; 陈凤; 倪自丰^*; 白亚雯

来源：电镀与涂饰, 2023, 42(17): 75-82.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2023.17.011

• 蓝宝石晶片
• 化学机械抛光
• 磨粒
• 正交试验
• 材料去除率
• 表面粗糙度

采用正交试验和单因素实验，研究了磨粒种类(包括SiO2、Al2O3和CeO2)和抛光工艺参数(包括抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量)对A向蓝宝石(1120)化学机械抛光(CMP)效果的影响。通过超精密分析天平计算材料去除率，原子力显微镜观察抛光表面形貌。结果表明：在A向蓝宝石晶片CMP抛光过程中，胶体SiO2磨粒比Al2O3和CeO2磨粒的抛光效果好。抛光工艺参数对A向蓝宝石材料去除率的影响程度主次顺序为抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量。当抛光压力为14.5 kPa，抛光盘转速为80 r/min，抛光液流量为90 mL/min时，A向蓝宝石晶片抛光效果最优，材料去除率达到2 366 nm/h，表面粗糙度(Ra)为0.80 nm左右。

• 单位
  江南大学; 无锡太湖学院; 无锡商业职业技术学院