硅基低压MOSFET器件广泛应用于小电流驱动、电源控制模块等高科技领域，MOSFET器件失效主要是由生产过程中的工艺异常或缺陷导致。本文介绍了热点分析/聚焦离子束-扫描电镜的高精度检测方法，该方法可快速检查沟槽MOSFET器件电学性能及膜层结构失效。本文结合沟槽MOSFET的制备流程，阐明了由于多晶硅淀积工艺异常及过量刻蚀所导致的管芯边缘区域漏电失效并分析了其中原因，列举了改善及预防措施细则，为进一步优化刻蚀沉积设备提供了工艺依据。
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