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摘要
CsPbBr3兼具高探测效率和较好的稳定性,是当前高性能高能辐射探测器的热门材料。在使用坩埚下降法制备CsPbBr3单晶的配料阶段,如果无法有效隔绝原料与氧气的接触,氧气会吸附于原料表面难以排出,在原料熔化后会聚集在密封坩埚的上方,导致所得到的单晶颜色沿生长方向逐渐变深,这一颜色变化不会改变CsPbBr3的禁带宽度。通过对单晶上端切片进行电学性能测试发现,从单晶的中心到外侧,CsPbBr3单晶的电阻率逐渐下降,陷阱密度和载流子迁移率逐渐增大,但对X射线的响应度基本不变。本文为研究高质量CsPbBr3单晶的生长提供帮助。
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