K掺杂p型ZnO薄膜的制备及其表征

作者：武军; 杨银堂

来源：西安电子科技大学学报, 2008, (01): 92-95.

• 氧化锌
• 薄膜
• 掺杂
• 射频
• 磁控溅射

以ⅠA族元素钾(K)作为掺杂剂,利用射频磁控溅射沉积技术,在单晶Si(111)衬底上成功生长了K:p-ZnO薄膜.采用Hall测试仪、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电谱等测试分析技术,对其结构和电学性能进行了研究.结果显示,该p-ZnO薄膜呈现良好的(002)单重择优生长特性,当衬底温度为500℃,氧分压为30%时表面粗糙度仅为89.05 nm,其相应的空穴浓度为5.45×1017/cm3,迁移率为1.96 cm2/(V.s),电阻率为5.91Ω.cm,具有较好的结晶质量和电性能.

• 单位
  西安电子科技大学; 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室