InSi_n(n=2-15)团簇结构、稳定性与电子性质的理论研究

作者：桑杰扎布; 叶铁; 丁宁; 卜肖宁; 王卓; 张帅

来源：原子与分子物理学报, 2017, 34(04): 649-655.

• InSin团簇
• 基态结构
• 电子性质

使用卡里普索（CALYPSO）结构预测程序并结合密度泛函理论,在B3LYP/GENECP基组水平上,对InSin（n=2-15）团簇的几何结构进行优化与计算.结构优化表明:InSin团簇的最低能量构型趋于立体结构（n>2）,且形成In原子戴帽InSin-1团簇结构.稳定性分析发现InSi12团簇为幻数结构,In原子的掺杂降低了Sin+1团簇的稳定性.团簇中的电荷总是由In原子向Si原子转移.最后讨论了团簇的电子局域密度函数、红外与拉曼光谱.

• 单位
  南阳师范学院; 电子工程学院; 锡林郭勒职业学院