外场下SiSe分子结构及激发特性研究

作者：吴学科; 黄意; 唐延林

来源：凯里学院学报, 2019, 37(06): 18-22.

• SiSe
• 外电场
• 激发态
• 紫外-可见光谱

采用局域自旋密度近似(LSDA)方法,在311++g(3df,3pd)基组水平上对不同外电场下SiSe分子的几何结构进行优化,并分析分子电偶极矩、总能量、HOMO能级、LUMO能级和能隙等随外场的变化情况,然后采用杂化CIS方法计算外电场下SiSe分子的激发特性及电子光谱,结果表明:在外电场作用下,分子键长、总能量、偶极矩和紫外-可见光谱等受到明显影响;外电场由-0.04a.u.到0.04a.u.变化过程,键长和偶极矩先减小后增大,而总能量则先增大后减小,当电场F=0.01a.u.时总能量达到最大值,偶极矩达到最小值;当外电场在-0.020～0.020a.u.范围变化时,能隙EG受影响较小,当外加电场由-0.020变化到-0.040a.u.和0.020变化到0.040a.u.时,能隙EG急剧下降;当外加电场较小时分子电子光谱对应紫外发光,当施加负向外电场F=-0.040a.u.时,在可见光区域476.6nm处出现较强吸收峰.

• 单位
  凯里学院; 贵州大学