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摘要
本发明属于光电探测器技术领域,公开了一种基于TaIrTe-4/Ge异质结的光电探测器及其制备方法和应用。该光电探测器是基于TaIrTe-4/Ge异质结的光电探测器,其结构为底电极/TaIrTe-4/Ge异质结/顶电极,该TaIrTe-4/Ge异质结是在Ge/GeO衬底上蚀刻Ge窗口,使TaIrTe-4纳米片与Ge充分接触得到,在TaIrTe-4/Ge异质结外的TaIrTe-4纳米片边缘制作顶电极。该光电探测器实现了405～1550nm的宽谱光探测。并且,在红外波段光照射下表现出优异的光响应度、较高的比探测率,这为Weyl半金属二维材料在光电子器件应用中的发展开辟新途径。
- 单位
