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摘要
本发明公开了一种低功耗射频功率器件及其制作方法,方法包括：获取外延基片；外延基片自下而上依次包括衬底层、成核层、缓冲层、插入层、强极化氮化物势垒层和帽层；在外延基片上形成有源区的电隔离；在帽层上光刻出源、漏电极区域,分别在源、漏电极区域生长欧姆金属形成源、漏电极；在源、漏电极和帽层上生长钝化层；在钝化层上光刻出凹槽区域,刻蚀掉凹槽区域内的钝化层直至强极化氮化物势垒层形成凹槽；利用热氧化工艺在凹槽内原位氧化形成栅介质层；在钝化层上和凹槽上方光刻出栅电极区域,在栅电极区域内的钝化层上和凹槽内的栅介质层上生长栅金属形成T型栅电极；分别在源、漏和T型栅电极上生长互联电极。本发明可以提升器件的功率特性。
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