低温快速生长多晶硅薄膜

作者：黄锐; 林璇英; 姚若河; 黄文勇; 余云鹏; 林揆训; 魏俊红; 余楚迎

来源：中国太阳能学会光伏专业委员会、广东省太阳能协会, 中国,广东省,深圳市.

• 多晶硅薄膜
• SiCl_4
• 生长速率
• 晶化度

以SiCl_4和H_2为气源,用等离子体化学气相沉积技术,通过控制和选择工艺条件,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜,沉积速率高达3(?)/s以上。薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10~(-4)S~(-1)cm~(-1)和10~(-3)S~(-1)·cm~(-1)。本文研究工艺条件与沉积速率的依赖关系和对薄膜结晶度的影响。

• 单位
  韩山师范学院; 华南理工大学; 汕头大学