气体流量对Si与光刻胶选择比的影响

作者：张文琼; 高志廷

来源：人工晶体学报, 2018, 47(10): 2196-2199.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2018.10.034

• 等离子体
• ICP
• 流量
• 选择比

采用等离子ICP刻蚀机,对<110>向单晶硅进行真空刻蚀。结果表明:随着时间的增大,刻蚀深度(纵向距离)在增大,刻蚀速率为200 nm/min;侧蚀距离(横向距离)随着时间的推移而增大,在60 min时候,单壁侧蚀距离为1. 5μm,侧蚀速率在50 nm/min; Si的刻蚀速率随着SF6的气体流量的增加而增大,当流量达到80 sccm,刻蚀速率为268 nm/min;光刻胶刻蚀速率却随着气体流量的增加而降低,在70 sccm时候,光刻胶刻蚀速率为32 nm/min;光刻胶的刻蚀速率与Si的刻蚀速率在一定场合下呈现反比例关系。

• 单位
  厦门大学嘉庚学院