衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响

作者：叶好华; 于广辉; 雷本亮; 齐鸣; 李爱珍

来源：稀有金属, 2004, (03): 499-501.

DOI：10.13373/j.cnki.cjrm.2004.03.013

• GaN
• 衬底氮化
• 氢化物气相外延 GaN
• substrate nitridation
• hydride vapour phase epitaxy

研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延 (HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响。X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明 ,不同的氮化时间导致Al2 O3表面的成核层发生变化 ,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所