ZnO薄膜肖特基二极管的研制(英文)

作者：叶志镇; 李蓓; 黄靖云; 袁国栋; 赵炳辉

来源：发光学报, 2004, (03): 283-286.

• ZnO薄膜
• AlSi(100)衬底
• 基特基势垒 ZnO thin film
• Al/Si (100) substrate
• Schottky barrier

采用直流反应磁控溅射的方法 ,在Al Si(1 0 0 )衬底上沉积了ZnO晶体薄膜。利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极 ,制作了ZnO薄膜肖特基二极管。X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向。原子力显微分析表明 :样品表面光洁平整 ,晶粒尺寸约 1 0 0nm ,扩展电阻分析表明ZnO薄膜的厚度为 0 4 μm ,载流子浓度为 1 8× 1 0 1 5cm- 3,此后的霍尔测试证实了这一结果并说明ZnO的导电类型为n型。室温下的I V测试显示ZnO肖特基二极管具有明显的整流特性。Pt与n型ZnO接触的势垒高度为 0 5 4eV。文中的ZnO肖特基二极管...

• 单位
  硅材料国家重点实验室; 浙江大学