DPRM工艺中刻蚀工艺关键参数对N/P型MOS管交界处的影响

作者：石梦; 阎海涛; 毛海央; 韩宝东; 孙武; 夏光美

来源：半导体光电, 2019, 40(01): 59-63.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2019.01.012

• 过刻蚀
• 高k/金属栅
• 虚拟栅去除
• 电子回旋共振
• 侧向凹陷

短沟道效应对器件性能的影响不可忽略,高k/金属栅极(High-k/Metal Gate,HKMG)器件可以很好地抑制短沟道效应。HKMG器件中金属栅极的制备工艺有前栅极制造工艺和后栅极制造工艺,其中虚拟栅去除(Dummy Poly Removal,DPRM)过程是后栅极制造中一道至关重要的制程。由于P型MOS管和N型MOS管的金属栅极填充材料不同,制造工艺中要先完成一种MOS管金属栅极的制作再进行另一种MOS管金属栅极的制作,DPRM后N型MOS管和P型MOS管交界处的结构形貌会直接影响金属栅极的填充,进而影响器件性能。在电子回旋共振刻蚀等离子体源条件下,探究DPRM工艺中过刻蚀过程的关键参数对NMOS管和PMOS管交界处结构形貌的影响,进而总结出减弱N/P型MOS管交界处侧向凹陷程度的工艺条件。

• 单位
  中国科学院大学; 中芯国际集成电路制造有限公司