摘要
本发明涉及一种新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管的制备方法,包括以下步骤:选取Si衬底;在Si衬底上生长SiO-2层;在SiO-2层上淀积Si-3N-4层;以光刻胶掩膜,离子注入Si衬底形成TFET的漏极;以光刻胶掩膜,离子注入Si衬底形成TFET的源极;进行快速高温退火,激活在源极和漏极掺杂的杂质;使用MBE形成InAs沟道;使用ALD在InAs沟道上淀积栅氧化层;经过CMOS工艺,制得新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管。漏极在Si衬底上的选择性掺杂降低了漏端电阻以此来实现开态大电流,从而实现在提高I-(on)的同时优化SS和I-(off)。同时,本发明为平面器件结构,因此与CMOS工艺相兼容。
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