热处理Hastelloy合金基带对生长NiO薄膜的影响

作者：赵新霞; 吴振宇; 金艳营; 韩徐; 黄玉琴; 谢清连^*

来源：南宁师范大学学报(自然科学版), 2023, 40(04): 59-64.

DOI：10.16601/j.cnki.issn2096-7330.2023.04.010

• Hastelloy
• NiO薄膜
• 磁控溅射
• 高温超导薄膜

该研究采用射频磁控溅射方法在经过热处理的Hastelloy合金基带上生长NiO缓冲层，探究了不同退火条件对生长NiO缓冲层的结构和形貌的影响.XRD和AFM测试结果表明，在流氧中退火温度为850℃、退火时间为20min时可在基带表面形成一层连续的NiO薄膜，这能改善基带与缓冲层的晶格匹配，并提高随后同质外延生长NiO缓冲层的质量，使得基带能生长出强度高且呈纯C轴取向的NiO薄膜.该缓冲层能够给高温超导薄膜提供良好的生长环境.

• 单位
  南宁师范大学; 物理与电子学院