硼碳氮薄膜的制备与表征

作者：刘振良; 廖志君; 范强; 杨水长; 伍登学; 卢铁城

来源：稀有金属材料与工程, 2009, 38(S2): 568-571.

• 硼碳氮薄膜
• XPS
• XRD
• FTIR boron carbon nitride thin films
• X-ray diffraction (XRD)
• X-ray photon electron spectroscopy (XPS)
• fourier-transformed infrared spectroscopy (FTIR)

用电子束蒸发的方法在单晶硅(100)基片上制备了硼碳氮薄膜,通过椭圆偏振仪、X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、傅立叶红外光谱仪(FTIR),测试分析了薄膜厚度均匀性、成分与结构。结果表明,薄膜均匀性较好,薄膜的沉积速率非常慢;薄膜在衬底温度为常温下沉积已是晶态的,随着衬底温度升高到450℃,其结晶性逐渐增强;薄膜不是石墨与BN的混和膜而是C、B、N相互结合成键。

• 单位
  中国科学院; 四川大学