科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
在3D NAND闪存的分布式编程擦除循环实验中发现,存储单元的保持特性随着编程擦除循环周期间隔的增加而改善。对实验数据的分析表明,编程擦除循环周期间隔中发生了损伤恢复,且在损伤恢复的两个机制中,氧化层电荷逸出对保持特性的改善起主要作用,而非界面陷阱修复。这说明,氧化层电荷逸出对于3D NAND闪存的保持特性有着重要影响。此外还发现,由于连续的电荷存储层所导致的电荷横向散布,损伤恢复对3D NAND闪存保持特性的影响与存储单元的编程模式有关。综上,损伤恢复机制是影响3D NAND闪存保持特性的一个重要因素,需要在产品的可靠性表征中予以考虑。
-
单位长江存储科技有限责任公司; 中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所
