原位生成AlN/SiC结合C复合材料及其制备方法

作者：余超; 郑永翔; 邓承继; 丁军; 祝洪喜; 吴欣欣

来源：2020-06-09, 中国, CN202010515682.5.

本发明涉及一种原位生成AlN/SiC结合C复合材料及其制备方法。其技术方案是：将Al4SiC4粉末和粘结剂混合,得混合料I；或将Al4SiC4粉末和含C材料混合后再与粘结剂混合,得混合料II；混合料为混合料I或为混合料II。将混合料经预压成型和等静压成型,于110℃条件下烘干,得到预制坯体；将放有预制坯体的石墨坩埚置于气压烧结炉内,在≤0.1mbar条件下从室温加热至1000～1200℃；保温条件下充N2至1～5MPa,保压条件下再加热至1600～1800℃,保压保温,自然冷却至室温,制得原位生成AlN/SiC结合C复合材料。本发明制备的原位生成AlN/SiC结合C复合材料密度低、质量轻、物相分布均匀、强度高、抗热震性好及抗氧化性能优异。

• 单位
  武汉科技大学