本发明公开了一种在硅片上复合In2O3塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有In2O3晶体；所述的In2O3晶体长度为40～60μm,具有周期性的层状结构,层状结构由底部到顶部逐渐减小,最后在顶部形成一个尖端,每个塔状结构有四处开口。其制备方法是以In颗粒作为原料,利用热蒸发方法生长得到In2O3塔状纳米结构。本发明具有成本低,生长温度低,重复性高等优点,可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺,适合于集成纳米光电子器件的发展。
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