Al掺杂量对Cu(In1-xAlx)S2薄膜性能的影响

作者：邓卫之; 言智; 邓沛然; 王莹; 方亚林

来源：太阳能学报, 2016, 37(07): 1732-1736.

• Cu(In1-xAlx)S2薄膜
• 黄铜矿结构
• Al掺杂量
• 原位变温XRD

使用廉价的溶剂热法制备黄铜矿结构的Cu(In1-xAlx)S2薄膜,研究Al掺杂量对Cu(In1-xAlx)S2薄膜的晶体结构、形貌、粗糙度和光学性能的影响。结果表明:随着Al掺杂量的增加,Cu(In1-xAlx)S2薄膜的X射线衍射峰向高角度偏移,同时晶粒尺寸变小。Cu In S2的原位变温XRD结果显示Cu In S2在低于873 K时可以稳定存在,当温度达到873 K时Cu In S2则开始分解为In2S3和Cu2S。AFM的测试结果展示薄膜表面的粗糙度随着Al掺杂量的增加而逐步降低。紫外分光光度计的测试结果呈现Cu(In1-xAlx)S2薄膜透过率随着Al含量的增加而逐步增加。Al/(Al+In)的量在00.5变化时,Cu(In1-xAlx)S2薄膜的禁带宽度的相应变化为1.562.24 e V。

• 单位
  上海工程技术大学