<正>Rambus近日宣布推出Rambus HBM2E内存接口子系统,该子系统包括一个完全集成的PHY和控制器,在三星先进的14/11 nm FinFET工艺上经过硅验证。通过利用30多年的信号完整性专业知识,Rambus解决方案的运行速度高达3.2 Gbps,可提供410 GB/s的带宽。这种性能满足了TB级带宽加速器的需求,此类加速器针对性能要求最为严苛的AI/ML训练和高性能计算(HPC)应用。