通过硬烘降低SU-8侧壁粗糙度

作者：田苗; 张笛^*; 瞿敏妮; 毛海平; 乌李瑛; 孔路瑶

来源：微纳电子技术, 2020, 57(12): 1028-1032.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.12.012

• SU-8胶
• 硬烘
• 粗糙度
• 大深宽比
• 铜波导
• 侧壁
• 波纹

当以SU-8光刻胶作为模具制备大深宽比结构或者直接用SU-8作为结构材料时,都难以避免地受到粗糙侧壁的影响。而随着器件性能的提高,这一问题越来越影响到SU-8的应用。通过使用硬烘的方法来改善SU-8胶的侧壁粗糙度。通过调整硬烘温度和时间,成功地将SU-8胶侧壁的均方根粗糙度从185.9 nm降低到了7.6 nm。通过光学金相显微镜观察SU-8侧壁的形貌,证实了随着硬烘温度和时间的增加,侧壁波纹逐渐消除。原子力显微镜(AFM)表征进一步验证了粗糙度的下降。最后以微波、毫米波、太赫兹波等高频信号在铜波导中传播的情形为例,讨论了粗糙度对传输阻抗的影响,证明了粗糙度降低的意义。

• 单位
  上海交通大学