氮化铝薄膜的厚度对场发射特性的影响

作者：李英爱; 刘立华; 何志; 杨大鹏; 马红梅; 赵永年

来源：液晶与显示, 2006, (04): 379-383.

• 氮化铝薄膜
• 场发射特性
• 厚度 AlN thin films
• field emission characteristics
• thickness

采用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(20~150 nm)纤锌矿结构的纳米AlN薄膜。在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场发射特性,发现阈值电场随着厚度的增加有增大的趋势。厚度为44 nm的AlN薄膜样品具有最低的阈值电场(10 V/μm),当外加电场为35 V/μm时,最高发射电流密度为284μA/cm2。AlN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了AlN薄膜表面势垒发射到真空。

• 单位
  物理学院; 吉林大学; 吉林师范大学; 超硬材料国家重点实验室