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摘要
随着集成电路的不断发展,低功耗与小面积逐渐成为芯片设计中的重要指标,促使形成电路的器件尺寸不断降低。在半导体芯片制造过程中,越小的器件尺寸对工艺过程中温度控制的精度要求越高,晶圆温度的轻微偏离和高于1%的温度不均匀性将会直接影响最终产品的良率。为实现温度与温度场分布的高精度控制,需要对其进行更为精确的预先检测与实时获取,集成电路制造中的晶圆温度监测技术应运而生。围绕接触式和非接触式两大测温技术分支,介绍了监测温度范围为0℃～1 300℃的晶圆温度监测技术原理。本文基于原理分析各技术所具有的优势与仍然不能满足的测温技术要求,追踪各测温技术的国内外发展现状,展望了未来晶圆温度监测技术的发展方向。
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