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摘要
通过理论分析及工艺试验,对200μm光纤氘气处理工艺中的氘气浓度、工艺温度及压力进行优化,并根据工艺时间和处理成本指标对各优化后工艺参数的不同组合进行了优选,在氘气浓度为1%,工艺温度为40℃、压力为20kPa条件下实现了最优的工艺时间和处理成本。相比常规245μm单模光纤,200μm单模光纤在上述优化的工艺条件下,氘气处理工艺时间可缩短18%。同时,200μm单模光纤经优化的氘气工艺处理后,氢老化附加衰减可满足IEC等标准的要求,并且对其它通信波段的衰减没有影响,氢老化附加衰减降低是长期有效的。
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