横向双锥快速生长35%DKDP晶体的研究

作者：蔡序敏; 祁英昆; 赵元安; 胡国行; 李国辉; 胡子钰; 郑国宗^*

来源：人工晶体学报, 2019, 48(04): 587-597.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.04.004

• DKDP晶体
• 损伤阈值
• 横向双锥生长
• 横向受激拉曼散射

在ICF工程中Ⅱ类三倍频晶体使用的是含氘量70%DKDP晶体,而70%DKDP晶体生长难度大,成本高,因此选用氘含量低,性能达到工程要求的DKDP晶体作为Ⅱ类三倍频晶体是很有必要的。采用横向双锥快速生长技术生长氘含量约35%DKDP晶体,按照Ⅱ类方向进行切割,测试三倍频激光损伤阈值和横向受激拉曼散射效应(TSRS),并与70%DKDP晶体进行对比。实验结果表明,所生长含氘量35%DKDP晶体比70%DKDP晶体损伤阈值约高1. 8倍,而在881. 7 cm-1,35%DKDP晶体的拉曼散射峰值强度比70%DKDP晶体高出约23%,70%DKDP晶体的TSRS比35%小。

• 单位
  中国科学院大学; 福州大学; 中国科学院上海光学精密机械研究所; 中国科学院福建物质结构研究所