射频反应溅射制备AlN薄膜的研究

作者：李侃; 董树荣; 王德苗

来源：传感技术学报, 2006, (05): 1459-1461+1465.

• AlN
• 压电薄膜
• 射频反应磁控溅射
• 择优取向
• FBAR AlN
• piezoelectric thin film
• RF reactive sputtering
• preferred orientation
• FBAR

采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AlN薄膜.在分析Berg迟滞模型的基础上,提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压标识反应进程的高速沉积c轴择优取向AlN薄膜的工艺方法.采用此种方法制备的AlN薄膜,在20W/cm2射频功率密度的情况下沉积速率达到2.3μm/h,远高于有关研究报道数据,获得的AlN薄膜(002)面X-射线衍射峰半高宽仅为0.3°,显示出薄膜具有良好的择优取向.

• 单位
  浙江大学