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摘要
探测了脉冲能量0.3 J波长1064 nm的纳秒激光聚焦Al表面诱导的等离子体200-900 nm范围的发射谱.分析了线状谱的基本规律，根据谱线的强度，考虑到光谱仪与电荷耦合器件(charge coupled device, CCD)的探测效率，通过线性拟合给出了等离子体中Al Ⅰ、Al Ⅱ、N Ⅰ、O Ⅰ粒子的激发温度.根据谱线的半高宽计算了等离子体电子密度，进而计算了等离子中Al Ⅰ的电离温度.结果表明，在等离子体状态快速演化过程中，不同粒子的电离、激发与退激存在较大差异，Al Ⅱ、Al Ⅰ相对于N Ⅰ、O Ⅰ有较高的激发温度，并且等离子体中Al Ⅰ的电离温度高于所有粒子的激发温度.
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