本文总结了功率因素校正电路加旁路二极管作用的几种不同解释:减少主二极管的浪涌电流;提高系统抗雷击的能力;减少开机瞬间系统的峰值电流,防止电感饱和损坏功率MOSFET。具体分析了输入交流掉电系统重起动,导致功率MOSFET驱动电压降低、其进入线性区而发生损坏,才是增加旁路二极管最重要、最根本的原因。给出了在这种模式下,功率MOSFET发生损坏的波形和失效形态,同时给出了避免发生这种损坏的几个措施。
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