溶剂熔区移动法生长In∶Cd0.9Zn0.1Te晶体的性能研究

作者:段磊; 闵嘉华; 梁小燕; 张继军; 凌云鹏; 杨柳青; 邢晓兵; 王林军
来源:人工晶体学报, 2016, 45(05): 1163-1167.
DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2016.05.004

摘要

采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体。测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过率、I-V特性曲线和PL谱图的对比测试。结果表明:头部晶体的Zn含量、红外透过率和电阻率均大于中部;而头部晶体的Te夹杂尺寸、杂质和缺陷含量均小于中部。

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