电子束光刻制备In-Ga-Zn-O场效应晶体管

作者：杜晓松; 王宇; 孔祥兔

来源：半导体技术, 2023, 48(11): 991-1019.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2023.11.006

• 电子束光刻
• 无掩模版图形化
• 直写技术
• 氧化物半导体器件
• In-Ga-Zn-O

无掩模直写技术制备半导体器件的方法在微电子学领域受到了广泛关注。提出了采用电子束直写技术对SnO2薄膜进行图形化并辐照改性的方法，成功制备了以SnO2为源/漏电极的底栅型铟镓锌氧化物(IGZO)场效应晶体管(FET)并对其进行了测试。测试结果表明，该IGZO FET展现了优良的电学性能：高源漏电流开关比(1.1×106)、高电子迁移率(1.4 cm2/(V·s))、较小的回滞差分电压(<2 V)、极低的栅极漏电流(<1 nA),这为无掩模版制备高性能氧化物半导体器件及柔性全透明集成电路提供了全新的方法。

• 单位
  常州大学