直流磁控反应溅射制备硅基AlN薄膜

作者：于毅; 赵宏锦; 高占友; 任天令; 刘理天

来源：压电与声光, 2005, 27(01): 53-55.

DOI：10.3969/j.issn.1004-2474.2005.01.017

• 氮化铝薄膜
• 直流磁控反应溅射
• 择优取向

采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理。制备出的AlN薄膜显示出较好的(002)面择优取向性,半高宽(FWHM)为0.35°～0.40°,折射率约为2.07。

• 单位
  清华大学