<正>专利申请号:CN201910899712.4公开号:CN110697779A申请日:2019.09.23公开日:2020.01.17申请人:清华大学本发明提供了一种二硫化钼的摩擦调控方法、装置及系统,该方法包括:获得不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据,所述不同电子束照射条件包括不同的加速电压条件和不同的电子束电流条件;根据不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据,获得二硫化钼的摩擦特征数据;在获得二硫化钼的目标摩擦力后,