CMOS门电路电磁信息泄漏评估

作者：丁国良; 常小龙; 陈家文; 武翠霞

来源：微电子学与计算机, 2011, (05): 67-70.

DOI：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2011.05.016

• 电磁信息泄漏
• 差分电磁分析
• 电偶极子模型 Electromagnetic Information Leakage(EMIL)
• Difference Electromagnetic Analysis(DEMA)
• Electric Dipole Model(EDM)

通过将CMOS工艺中的导线转化为电偶极子模型,提出了一种对CMOS工艺的门电路进行电磁信息泄漏评估的方法.仿真实验采用TSMC0.18μm工艺,实现了基于单轨逻辑以及SABL双轨逻辑的与非门,并用提出的评估方法对门电路的电磁信息泄漏进行评估.仿真结果表明,该评估方法能够对CMOS门电路的电磁信息泄漏程度进行量化评估,同时还表明了双轨门电路电磁信息泄漏弱于单轨门电路.

• 单位
  河北工业大学; 中国人民解放军陆军工程大学