聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究

作者：王蓓; **浩; 陆海纬; 宋云; 曹永明; 曾韡

来源：复旦学报(自然科学版), 2007, (01): 96-99+105.

DOI：10.15943/j.cnki.fdxb-jns.2007.01.017

• 聚焦离子束
• 无掩膜离子注入
• 溅射
• 刻蚀
• 离子束流
• 饱和剂量

随着聚焦离子束(focusedion beam,FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入剂量恒定,离子浓度随深度的分布与离子束流大小无关;当离子束流恒定,注入离子的表面浓度随注入剂量的增加而增加,但是由于FIB注入的同时会刻蚀材料表面,注入剂量达到饱和值后,会造成材料一定程度的减薄.

• 单位
  复旦大学