高压真空断路器用熔渗法CuMoCr触头材料的制备工艺

作者：陈光明; 兰岚; 陈名勇

来源：电工材料, 2006, (03): 6-8.

DOI：10.16786/j.cnki.1671-8887.eem.2006.03.002

• CuMoCr触头
• 熔渗
• 氧含量 CuMoCr contact
• infiltration
• oxygen content

介绍了高压真空断路器用熔渗法CuMoCr触头材料的制备工艺。研究了原材料预处理温度对Cu粉、Mo粉含氧量的影响,以及Cu粉与MoCr粉的混合比例对熔渗后坯件体积变化的影响,并对结果进行了分析。

• 单位
  桂林金格电工电子材料科技有限公司