本发明公开了一种辐射环境下双极型晶体管正向电流增益退化模型的构建方法,该方法包括：a)基于大注入条件发射极电流得到由发射区注入至基区的少数载流子浓度n-E；b)获得基极电流和电流增益的分布；c)辐射环境正向电流增益退化模型的建立；d)模型验证。本发明构建的模型,重点考虑了大注入效应的影响,从而可精准地计算双极型晶体管正向电流增益的退化,得到全偏压范围内正向电流增益损伤因子的退化。所需拟合参数少,适用性广泛,该模型对于辐射环境下双极型晶体管可靠性提供了更准确的预测。
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