非晶SiO2/Si界面缺陷及其钝化/去钝化反应机制(英文)

作者：洪卓呈; 左旭

来源：系统仿真学报, 2020, 32(12): 2362-2375.

DOI：10.16182/j.issn1004731x.joss.20-FZ0474E

• 第一性原理
• a-SiO2/Si(111)界面
• 钝化/去钝化
• NEB方法

研究非晶二氧化硅/硅(a-SiO2/Si)界面处的硅悬挂键缺陷(即Pb类缺陷)的钝化与去钝化过程对提高器件性能具有重要意义。基于分子动力学与第一性原理计算方法,以a-SiO2和晶体Si为基础,构建了a-SiO2/Si(111)界面模型。采用CI-NEB(ClimbingImage-NudgedElasticBand)方法分别对a-SiO2/Si(111)界面的Pb缺陷分别于氢气和氢原子的钝化、去钝化反应进行了研究。明确了基于非晶二氧化硅/硅界面缺陷模型的钝化、去钝化反应的反应曲线、反应势垒以及反应的过渡态结构。

• 单位
  天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室; 南开大学